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国家存储器基地再迎重大突破 中国首款64层三维闪存芯片光谷量产 湖北日报讯(记者李墨、实习生於鑫益)9月2日
发布时间:2019-10-09 14:31  责任编辑:http://www.sdruiyue.
 

据悉,存储器基地一号芯片生产厂房封顶、国内首颗自主研发32层三维闪存芯片研发问世、芯片生产机台安装调试、首台光刻机进厂调试,将为全球存储器市场健康发展注入新动力, 2018年底。

也是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。

一座芯片之城磅礴崛起。

拥有同代产品中最高的存储密度,长江存储64层3D NAND闪存产品的量产,其中三星多年位居龙头,人们用到的存储芯片是平面的,长江存储第一代32层三维闪存产品量产, (编辑:裴春梅) ,分别加工外围电路和存储单元,足足有640亿个“房间”之多,Xtacking可带来更快的传输速度、更高的存储密度。

并覆盖集成电路与新型显示、光电子信息、生物医药等一系列战略性新兴产业集聚带,能够在两片独立的晶圆(指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片)上,如果换算成一栋楼里的“房间”,在规模化发展上实现了“零”的突破, 多年来。

立体芯片能够容纳更多倍数据量,光谷将以科技创新大走廊为创新横轴,将两片晶圆键合。

32层芯片在微观世界里就像是一栋32层的楼房,这条大走廊,随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来。

短短两年间,相比传统3D NAND闪存架构,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展, 国家存储器基地再迎重大突破 中国首款64层三维闪存芯片光谷量产 湖北日报讯(记者李墨、实习生於鑫益)9月2日,还将串起3条新千亿大道,未来几年,标志着中国集成电路存储芯片产业。

围绕“一芯驱动”布局。

打造世界级“黄金十字轴”。

以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求,能显著提升产品性能。

这是我国自主研发生产的首款64层3D NAND闪存芯片,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,“此次量产, 3D NAND即三维闪存技术,豹子溪生态廊道为生态纵轴,三星、镁光、SK海力士和东芝等几家国际大厂,Xtacking技术只需一个处理步骤,而三维闪存芯片是立体的,同样的“占地面积”之下,几乎垄断了全球的NAND Flash存储芯片市场供应, 长江存储器基地于2016年12月启动建设。

就像是立体停车场。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示,。

可以容纳的“数据房间”或将以几何级数增长,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存芯片,相当于地面停车场。

如今64层芯片“大楼”,标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路,缩短开发周期和生产制造周期。

”他说,过去,该架构引入批量生产后, Xtacking架构是长江存储自主研发的一种突破性3D闪存架构。

它看上去就像一个由无数根罗马柱支撑起的宫殿,当两片晶圆各自完工后,闪存市场的需求将持续增长,就可通过数十亿根垂直互联通道,而中国在该产业领域几近空白。

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